Samsung Semiconductor, Inc.

SPHCW1HDN825YHQTEE

產品特性產品說明
高度 1.50mm
顏色 White, Cool
鏡頭類型 Flat
組態 Square
類型 Chip On Board (COB)
電流 - 測試 180mA
電流 - 最大 320mA
電壓 - 正向(Vf)(典型值) 35.5V
特徵 -
溫度 - 測試 25°C
流明/瓦@電流 - 測試 149 lm/W
波長 -
尺寸/尺寸 13.50mm L x 13.50mm W
可視角度 115°
發光面(LES) 8.00mm Dia
發光磁通 @電流/溫度 949lm (887lm ~ 1011lm)
產品狀態 Not For New Designs
CRI(顯色指數) 80
CCT(K) 5700K
 
H-F3DFO

一、外形圖 Outline dimensions

單位

Unit

公差

Tolerance

芯片材質

Die material

膠體顏色

Lens color

發光顏色

Emitting color

mm

±0.2mm

AlGaInP

Water Clear

Orange

二、光電參數 Photo electricity Parameter

(環境溫度 Ambient temperature25℃ 相對濕度 HumidityRH 60%

專案

Item

符號

Symbol

測試條件

Test condition

最小值

Min

典型值

Type

最大值

Max

單位

Unit

反向電流

Reverse Current

IR

VR=5V

/

/

10

μA

正向電壓

Forward Voltage

VF

IF=20mA

1.8

/

2.4

V

發光強度

Luminous Intensity

IV

400

800

/

mcd

主波長

Dominant Wavelength

λd

600

/

610

nm

半光強角

Viewing Angle

2θ1/2

/

30

/

deg

備註:亮度測試公差±15%,波長測試公差±1nm,正向電壓測試公差±0.1V

Remark: The tolerance of intensity ±15%, the tolerance of wavelength ±1nm, the tolerance of forwards voltage± 0.1V.Only reference for above when testing.

三、極限參數 Absolute Maximum Rating

(環境溫度 Ambient temperature25℃ 相對濕度 HumidityRH 60%

專案

Item

符號

Symbol

數值

Value

單位

Unit

備註

Remark

正向電流

Forward Current

IF

25

mA

峰值正向電流*

Peak Forward Current*

IFP

50

mA

功耗

Power Dissipation

PD

75

mW

工作環境溫度

Operation Temperature

Topr

-40 to +85

貯藏溫度

Storage Temperature

Tstg

-40 to +85

焊接溫度

Soldering Temperature

Tsol

260±5

Less than 5 Second

*注:脈衝寬度≤0.1ms,佔空比≤1/10 *Note: pulse Width0.1ms,Duty1/10

仓储实拍

  • 仓库图片4

    仓库图片4

  • 仓库图片3

    仓库图片3

  • 仓库图片2

    仓库图片2

  • 仓库图片1

    仓库图片1

公司仓储实拍

Real Picture

交易流程

  • 1
    選擇產品

    選擇您需要的產品

    及數量

  • 2
    填寫地址

    提供您的聯絡信息

    及收貨地址

  • 3
    付款

    成功付款後24小時內

    安排發貨

  • 4
    收貨

    7日內收貨,全新正品

    確認收貨