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CTR理解
时间:2013-01-25 01:45  浏览:载入中...
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光耦参数的理解
摘要:分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及CTR 和延时。
关键字:光耦  CTR  延时
  
1 引言
光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用,无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往
往感到无从下手,不知设计对与错,随着遇到越来越多的问题,才会慢慢有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论:光耦工作原理;光耦的CTR 概念;光耦的延时。本讨论
也有认识上的局限性,但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
1 理解光耦
光耦是隔离传输器件,原边给定信号,副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的
隔离容易理解,此处不做讨论。
以一个简单的图(图.1)说明光耦的工作:原边输入信号Vin,施加到原边的发光二极
管和Ri 上产生光耦的输入电流If,If 驱动发光二极管,使得副边的光敏三极管导通,回路
VCC、RL 产生Ic,Ic 经过RL 产生Vout,达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是
CTR(电流传输比),要满足Ic≤If*CTR。
 
图.1
光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解?
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<0.4V,Vout 约等于Vcc(Vcc-0.4V
左右),Vout 大小只受Vcc 大小影响。此时Ic<If*CTR,此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦,Ic=If*CTR,副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL,Vout= Ic*RL
=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL,Vout 大小直接与Vin 成比例,一般用于反馈环路里面 (1.6V 是
粗略估计,实际要按器件资料,后续1.6V 同) 。
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  对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
比较项目  光耦  三极管
电路图
 
 
前级电流  If(=(Vin-1.6)/Ri)  Ib(=(Vin-0.6)/Ri)
电流限制条件
Ic ≤ CTR*If  Ic ≤β* Ib
理解:If 确定,光耦副边电流通道大小
确定,实际的Ic 不能大于该通道
理解:Ib 确定,三极管副边电流通道大
小确定,实际的Ic 不能大于该通道
饱和/开关状态
当RL 阻值大时,Vcc/RL < CTR*If
光耦导通时,Vout ~= 0 V
当RL 阻值大时,Vcc/RL <β* Ib
三极管导通时,Vout ~= 0 V
放大/线性状态
当RL 阻值小时,Vcc/RL > CTR*If
此时,光耦副边会提高光敏三极管的导
通压降,限制实际的Ic 在电流通道内
(Ic = CTR*If)。光耦导通时,Vout 输
出大小与Vin 有线性关系。
当RL 阻值小时,Vcc/RL >β* Ib
此时,三极管会提高管压降,限制实际
的Ic 在电流通道内(Ic =β* Ib)。三
极管导通时,Vout 输出大小与Vin 有线
性关系。
所以通过分析实际的电路,除去隔离因素,用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有
效的方法。此方法对于后续分析光耦的CTR 参数,还有延迟参数都有助于理解。
 
2 光耦CTR
概要:1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;2)对于工作在开关状态的光
耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量;3)CTR 受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算
举例分析,例如图.1 中的光耦电路,假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%,光耦导通
时假设二极管压降为1.6V,副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi 是5V 的方波,
输出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波吗?
我们来算算:If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副边的电流限制:Ic

 ≤ CTR*If = 1.7mA
假设副边要饱和导通,那么需要Ic

 = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于电流通道限
制,所以导通时,Ic 会被光耦限制到1.7mA, Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
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所以副边得到的是1.7V 的方波。
为什么得不到 3.3V 的方波,可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小,只能驱动
1.7mA 的电流,所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
解决措施:增大If;增大CTR;减小Ic。对应措施为:减小Ri 阻值;更换大CTR 光耦;
增大Ro 阻值。
将上述参数稍加优化,假设增大Ri 到200 欧姆,其他一切条件都不变,Vout 能得到3.3V
的方波吗?
重新计算:If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副边电流限制Ic

 ≤ CTR*If = 8.5mA,远
大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA),所以实际Ic = 2.9mA。
所以,更改Ri 后,Vout 输出3.3V 的方波。
开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大Ic 与原边能提供的
最小If 之间 Ic/If 的比值与光耦的CTR 参数做比较,如果Ic/If ≤CTR,说明光耦能可靠
导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR 的90%)。
工作在线性状态令当别论。
2.2 CTR 受那些因素影响
上一节说到设计时要保证一定CTR 余量。就是因为CTR 的大小受众多因素影响,这些因
素之中既有导致CTR 只离散的因素(不同光耦),又有与CTR 有一致性的参数(壳温/If)。
1)光耦本身:以8701 为例,CTR 在Ta=25℃/If=16mA 时,范围是(15%~35%)
  说明8701 这个型号的光耦,不论何时/何地,任何批次里的一个样品,只要在Ta=25℃
/If=16mA 这个条件下,CTR 是一个确定的值,都能确定在15%~35%以内。
计算导通时,要以下限进行计算,并且保证有余量。计算关断时要以上限。
2)壳温影响:
Ta=25℃条件下的CTR 下限确定了,但往往产品里面温度范围比较大,比如光耦会工作
在(-5~75℃)下,此种情况下CTR 怎么确定?还是看8701 的手册:有Ta-CTR 关系图:
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从图中看出,以25 度的为基准,在其他条件不变的情况下,-5 度下的CTR 是25 度下
的0.9 倍左右,75 度下最小与25 度下的CTR 持平。
所以在16mA/(-5~75℃)条件下,8701 的CTR 最小值是15%*0.9 = 13.5%
3) 受If 影响。
假设如果实际的If 是3.4mA,那么如何确定CTR 在If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)条件下的
最小CTR 值。
查看 8701 的 If-CTR 曲线。图中给出了三条曲线,代表抽取了三个样品做测试得到的
If-CTR 曲线,实际只需要一个样品的曲线即可。
 
注:此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线,其实不然。大部分图表曲线只是一个相
对关系图,不能图中读出绝对的参数值。
计算:选用最上面一条样品曲线,由图中查出,If=16mA 时CTR 大概28%,在If=3.4mA
时CTR 大概在46%。3.4mA 是16mA 时的46%/28% = 1.64 倍;
所以,在If=3.4mA / (-5~75℃),CTR 下限为 13.5% * 1.64 = 22.2%
以上所有分析都是基于8701 的,其他光耦的特性曲线需要查用户手册,分析方法一样。
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3 光耦延时
上述CTR 影响到信号能不能传过去的问题,类似于直流特性。下面主要分析光耦的延时
特性,即光耦能传送多快信号。
涉及到两个参数:光耦导通延时 tplh 和光耦关断延时 tphl ,以 8701 为例:在
If=16mA/Ic=2mA 时候,关断延时最大0.8uS,导通延时最大1.2uS。所以用8701 传递500k
以上的开关信号就需要不能满足。
 
下图是一个实测的延时波形(ch4 原边(红),ch2 副边(绿))
 
图.2
  对于tp 参数的设计更应该考虑余量,因为tp 参数也受其他因素影响较多。
   1)  受温度影响
8701 的Ta-If 特征曲线:温度升高,开关延时都会增大。
 
图.3
  2)  受原边If 大小影响
  8701 的tp-If 特征曲线:If 增大,关断延时减小,开通延时增大
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图.4
  3)  受副边Ic 大小影响
  8701 的tp-RL 特征曲线:RL 减小,导通延时增大明显
 
图.5
  针对具体电路的特点,计算最大延时时也是采用与CTR 一样的方法,通过器件资料给
定特定环境下的准确范围,然后逐一通过三个曲线确定具体电路下的光耦最大延时。
  
注:同一个型号的光耦 CTR/延时特性是一致的,不同光耦的延时特性不尽相同,所以
需要根据所用光耦的用户手册来确定。
 
 
 
 
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